Зведений каталог бібліотек Харкова
Ковалев, А. Н. Пути повышения эффективности AIxGa1-xN/GaN-гетероструктур для полевых транзисторов. [Текст] / Московский государственный институт стали и сплавов // Известия вузов. Материалы электронной техники. 2 , 2003. — С. 4-14.
- Анотація:
Обсуждены целесообразность введения дополнительных слоев AIN/GaN в структуру гетеротранзистора для снижения упругих достижений и плотности дислокаций.
- Є складовою частиною документа:
Известия вузов. Материалы электронной техники. [Текст] // Известия вузов. Материалы электронной техники ; Министерство образования РФ - М. : МИС и С. — 2003.
- Теми документа