Зведений каталог бібліотек Харкова

 

Ковалев, А. Н.
    Пути повышения эффективности AIxGa1-xN/GaN-гетероструктур для полевых транзисторов. [Текст] / Московский государственный институт стали и сплавов // Известия вузов. Материалы электронной техники. 2 , 2003. — С. 4-14.


- Анотація:

Обсуждены целесообразность введения дополнительных слоев AIN/GaN в структуру гетеротранзистора для снижения упругих достижений и плотности дислокаций.

- Є складовою частиною документа:

- Теми документа

  • УДК // Електронні напівпровідники
  • УДК // Нанесення металевого та неметалевого покриття. Нанесення провідникового, напівпровідникового, діелектричного, магнітного покриття та плівок, а також плівок і покриття з електричним опром. Металізація



Наявність
Установа Кількість Документ на сайті установи
Науково-технічна бібліотека Національного аерокосмічного університету ім. М.Є. Жуковського   Перейти на сайт