Маняхин, Ф. И.     Особенности распределения заряда, напряженности электрического поля и потенциала в высоковольтных барьерных структурах на основе SiC. [Текст] / Московский государственный институт стали и сплавов, Физико-Технический институт им. А.Ф.Иоффе. // Известия вузов. Материалы электронной техники. 2 , 2003. — С. 50-56.