Зведений каталог бібліотек Харкова
Каган, М. С. Стимулированное излучение терагерцового диапазона из напряженных p-Ge и структур SiGe/Si. [Текст] / М.С. Каган, И.В. Алтухов, В.П. Синис та ін. // Радиотехника и электроникаТ.48. Т.48. 9 , 2003. — C.1137 - 1144.
Автор: Каган М.С., Алтухов И.В., Синис В.П., Чиркова Е.Г., Яссиевич И.Н., Колодзей Дж.
- Анотація:
Рассмотрены природа и свойства стимулированного терагерцового излучения одноосно сжатого германия и напряженных структур SiGe/Si, легированных мелкими акцепторами.
- Є складовою частиною документа:
Радиотехника и электроника [Текст] // Радиотехника и электроника ; Институт радиотехники и электроники РАН - М. : Наука. — 2003.