Зведений каталог бібліотек Харкова
Беспалов, В. А. Формирование высоколегированных р+ -областей Ga As с использованием метода импульсного фотонного отжига. [Текст] / Московский государственный институт электронной техники ( технический университет) // . — С. 3-6.
- Анотація:
Для создания р+ -областей Ga As, AlGaAs исследовано влияние режимов работы ионного легирования и импульсного фотонного обжига на распределение концентрации внедренных примесей по толщине структур.
- Є складовою частиною документа:
Известия вузов. Электроника. [Текст] // Известия вузов. Электроника ; Министерство образования РФ, Московский государственный институт электронной техники - М. : МИЭТ. — 2003.
- Теми документа
