|
| | Герасименко, Н. Н.
Свойства подзатворного окисла p-канальных МДП-транзисторов, сформированных имплантацией ионов ВF2+ [Текст] / Московский государственный институт электронной техники (технический университет) // Известия вузов. Электроника. — 2003. — С. 7-11. | |
| | |
|
