|
Автор: Бакланов С.Б., Гурин Н.Т., Лычагин Е.В., Новиков С.Г., Картавенко А.В., Костылов М.А.
-
Анотація:
Получено семейство входных вольт-амперных характеристик структуры планарно-диффузиозного симистора. Проанализирован процесс возникновения на входных характеристиках N-образного участка.
-
Є складовою частиною документа:
-
Теми документа
-
УДК // Електроніка. Мікроелектроніка
| 