Ефремов, А. А.     Компьютерное моделирование преципитации SiO2 в кремнии, выращенном методом Чохральского и легированном азотом [Текст] / Инстиут физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева НАН Украины // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2003. — С. 44-48.