Щербачев, К. Д.     Особенности структуры нарушенного слоя в подложках Si(001), имплантированных ионами неона различных энергий. [Текст] / Московский государственный институт стали и сплавов // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2003. — С. 49-51.