Зведений каталог бібліотек Харкова

 

Светлов, С. П.
    Выращивание методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в среде германа многослойных структур Si 1-хGeх/Si C селективно легированными слоями. [Текст] / Нижегородский государственный университет // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2003. — С. 26-28.


Автор: Светлов С.П., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г., Гавриленко В.И., Дроздов М.Н., Дроздов Ю.Н., Красильник З.Ф.

- Анотація:

Обсуждена возможность выращивания методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в среде германа многослойных эпитаксиальных структур, содержащих селективно легированные слои твердого раствора кремний-германий с резкими границами раздела.

- Є складовою частиною документа:

- Теми документа

  • УДК // Нанесення металевого та неметалевого покриття. Нанесення провідникового, напівпровідникового, діелектричного, магнітного покриття та плівок, а також плівок і покриття з електричним опром. Металізація
  • УДК // Провідники та напівпровідники залежно від матеріалу виготовлення



Наявність
Установа Кількість Документ на сайті установи
Науково-технічна бібліотека Національного аерокосмічного університету ім. М.Є. Жуковського   Перейти на сайт