Зведений каталог бібліотек Харкова
Щербачев, К. Д. Особенности структуры нарушенного слоя в подложках Si (111), имплантированных ионами аргона при 80 К. [Текст] / Московский государственный институт стали и сплавов (технологический университет) // . — С. 71-75.
- Анотація:
Методом рентгеновской дифрактометрии высокого разрешения исследовано влияние температуры мишени на дефектообразовании в нарушенном слое при имплантации ионов Ar+ в подложку Si(111) с энергией 100 кэВ и дозами вблизи порога аморфизации.
- Є складовою частиною документа:
Известия вузов. Материалы электронной техники. [Текст] // Известия вузов. Материалы электронной техники ; Министерство образования РФ - М. : МИС и С. — 2003.
- Теми документа
