Зведений каталог бібліотек Харкова
Маняхин, Ф. И. Причины спада выходной мощности излучения и внешнего квантового выхода светодиодных структур AlGan/InGan/Gan с квантовыми ямами при больших напряжениях прямого смещения. [Текст] / Московский государственный институт стали и сплавов // . — С. 45-49.
- Анотація:
Получены экспериментальные данные по измерению вольт-амперных и вольт-яркостных характеристик , а также распределения заряженных центров в активной области светодиодных структур AlGan/InGan/Gan.
- Є складовою частиною документа:
Известия вузов. Материалы электронной техники. [Текст] // Известия вузов. Материалы электронной техники ; Министерство образования РФ - М. : МИС и С. — 2004.
- Теми документа
