Зведений каталог бібліотек Харкова
Бублик, В. Т. Об условиях образования микродефектов в монокристаллах GaAs(Si), выращенных методом горизонтальной направленной кристаллизации. [Текст] / Московский государственный институт стали и сплавов (технологический университет) // . — С. 54-57.
- Анотація:
Обсуждены условия образования микродефектов в монокристаллах GaAs(Si), выращенных методом горизантальной направленной кристаллизации, на основании проведенного термодинамического расчета.
- Є складовою частиною документа:
Известия вузов. Материалы электронной техники. [Текст] // Известия вузов. Материалы электронной техники ; Министерство образования РФ - М. : МИС и С. — 2004.
- Теми документа
