Представлены новые методы оптической спектроскопии полупроводниковых структур, использующие модуляцию коэффициента отражения света при воздействии на образец переменного тока, СВЧ-поля, высокочастотного поля двух конфигураций. оптического излучения с энергией квантов как большей так и меньшей энергии запрещенной зоны исследуемого полупроводника.
