Рассмотрены современные проблемы создания полевых транзисторов на AlGaN/GaN-гетероструктурах. Особое внимание уделено нерешенной проблеме коллапса тока, снижающего выходную мощность на повышенных частотах и приводящего к времиенной нестабильности работы транзистора, а также большим токам утечки затвора.

Известия вузов. Материалы электронной техники. [Текст] // Известия вузов. Материалы электронной техники ; Министерство образования РФ - М. : МИС и С. — 2004.

• УДК // Електронні напівпровідники
• УДК // Нанесення металевого та неметалевого покриття. Нанесення провідникового, напівпровідникового, діелектричного, магнітного покриття та плівок, а також плівок і покриття з електричним опром. Металізація