Зведений каталог бібліотек Харкова

 
Пошук Відібрані Опис документа
Початкова сторінка Сайт УФД

Войцеховский, А. В.
    Профили распределения дефектов в эпитаксильных пленках, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, при ионной имплантации аргона и азота [Текст] / А.В. Войцеховский, Д.В. Григорьев, А.Г. Коротаев та ін. // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2004. — С. 60-65.

Автор: Войцеховский А.В., Григорьев Д.В., Коротаев А.Г., Коханенко А.П., Леонтьев Д.В., Кульчицкий Н.А.

- Анотація:

Исследовано влияние облучения высокоэнергетическими ионами на эпитаксиальные пленки.

- Є складовою частиною документа:

- Теми документа

  • УДК // Електронні напівпровідники
  • УДК // Нанесення металевого та неметалевого покриття. Нанесення провідникового, напівпровідникового, діелектричного, магнітного покриття та плівок, а також плівок і покриття з електричним опром. Металізація



Наявність
Установа Кількість Документ на сайті установи
Науково-технічна бібліотека Національного аерокосмічного університету ім. М.Є. Жуковського   Перейти на сайт