Предложена методика отжига полупроводников в условиях воздействия ультразвука. На модельных образцах нейтронно легированного Ge приведен изохронный отжиг радиационных дефектов. Представлены сравнительные результаты измерения электрофизических параметров. Найдено, что механизм УЗ-воздействия сводится к ускорению диффузии точечных дефектов за счет снижения энергии активации и повышения концентрации неравновесных дефектов.

Технология и конструирование в электронной аппаратуре [Текст] : научно-технич. журнал / АО "Нептун". — Одесса.

• УДК // Електронні напівпровідники
• УДК // Механічні коливання. Хвилі. Акустика
• УДК // Передача електрики, провідність. Електрична провідність