Представлены теоретические и эксперементальные исследования зависимости полного сопротивления транзисторных структур от воздействия температур, света, давления и магнитного поля. Показано, что зависимости реактивной составляющей от воздействия вышеуказанных факторов являются существенными, что создает предпосылки построения микроэлектронных радиоизмерительных преобразователей. Рассчитаны и эксперементально исследованы функции преобразования и чувствительности. Приведены рекомендации по проектированию преобразователей.
