Разработаны конструкции магниточувствительных мостовых сенсоров, состоящих либо из четырех одноколлекторных магнитотранзисторов, либо из пары двухколлекторных магнитотранзисторов с противоположным типом проводимости. Чувствительность сенсоров на порядок выше известных за счет того, что все элементы моста реагируют на действие магнитного поля.