Описаны конструкция и технология изготовления диодоав Ганна для применения в КВЧ-терапии. Рабочая частота 42ГГц, выходная мощность более 1 мВт при рабочем токе меньше 120 мА. Доиды изготовлены из эпитаксиальных структур Ga As. Формирование омического контакта на на поверхность n-слоя создает неоднородность, которая способствует зарождению в этом месте домена.
