Основана возможность использования инфракрасного излучения порлупроводников для экспресс-диагностики качества полупроводниковых диодных кристаллов. Разработан метод разделения рекомбинационной и тепловой составляющей излучения разогретого диодного кристалла. Показана возможность подбора режима пайки диодного кристалла, при котором он разогревается однородно, по его излучению.
