|
Автор: Алкев Н.В., Любченко В.Е., Веллинг П., Хоренко Е., Прост В., Тегуде Ф.
-
Анотація:
В диапазоне частот 0.1...50 ГГц измерена зависимость импеданса резонансно-туннельного диода на основе InGaAs/InAlAs от частоты. Простейшая эквивалентная схема РТД достаточно хорошо описывает высокочастотные свойства исследуемых нами РТД.
-
Є складовою частиною документа:
-
Теми документа
-
УДК // Електронні пристрої із використанням властивостей твердого тіла. Напівпровідникові елементи
| 