|
Автор: Неймаш В.Б., Красько М.М., Крайчинський А.М., Колосюк А.Г., Войтович В.В., Сімоен Е., Рафі Дж.М., Клайз К., Верслюз Дж., Клоз П.
-
Анотація:
Методами ємнісної спектроскопії глибоких рівнів досліджено властивості радіаційних та термічних дефектів, що утворюються в монокристалічному Si при 1 MeB електронному опроміненні при 450 С. Виявлено сім електронних рівнів у верхній та два рівня у нижній половинах забороненої зони Si. Визначено їх енергетичні та кінетичні характеристики.
-
Є складовою частиною документа:
-
Теми документа
-
УДК // Електронні напівпровідники
|
