Исследованы зависимости концентрации, подвижности и газовой чувствительности от содержания Si в тонкой полупроводниковой пленке, полученной методом реактивного ионно-лучевого напыления. Обнаружен эффект снижения температуры максимальной чувствительности пленок к парам спирта, аммиака и ацетона в воздухе.
