Переход к микрополосковой (МПЛ) на коаксиально-микрополосковый переход (КМПП) является наиболее критичным при разработке изделий микроэлектроники СВЧ. Именно здесь возникает наибольшее число проблем соединения, а ведь оно определяет выходную мощность изделий, потери, КСВн "вход-выход". Опубликованные в последние годы работы, посвященные этой тематике, содержат главным образом теоретические расчеты области перехода для частот выше 50 ГГц. В то же время подавляющее большенство изделий микроэлектроники предназначено для работы на частотах не более 18 ГГц. В настоящей работе сделана попытка обобщить сведения, приведенные в литературе, и накопленный экспериментальный опыт конструирования переходов с МПЛ на КМПП.
