Представленны результаты разработки планарных детекторов из НРGe с тонкими входными окнами (< 0.1мкм), полученными с помощью ионной имплантации бора и фосфора. Созданные детекторы обладают хорошими электрическими и спектрометрическими параметрами. Они предназначены для развития и модернизации существующих многослойных спектрометров, используемых для изучения редких ядерных процессов и поиска глубоколежащих состояний пионных атомов ксенона.
