Разработан универсальный волоконно-оптический спектроскоп, позволяющий исследовать современные полупроводниковые структуры различными методами модуляционного отражения света. Среди этих методов как хорошо известные, традиционные методы фотоотражения и электроотражения, так и новые методы продольного токоотражения и фотоотражения и энергией квантов накачки меньше ширины запрещенной зоны исследуемого образца. Возможности спектроскопа демонстрируются на примере исследования полупроводниковых структур, используемых для изготовления транзисторов с высокой подвижностью электронов и мощных полупроводниковых лазеров.
