Исследовано влияние локального анизотропного давления на кремниевую МОП-структуру. Показано, что повышение инверсной емкости связано не только с увеличением положительных носитетелй в окисле на гаранице раздела под влиянием локального давления, а вызвано также ти уменьшением ширины запрещенной зоны полупроводника. Предложена негатронная схема, преобразующая давление в частоту.
