Описана новая методика получения эталонных спектров обращенной самосверстки плотности состояний окисленного кремния, необходимых для проведения неразрушающего количественного оже-анализа SiO. Результаты исследований были применены для определения состава окисла кремния,формирующегося на поверхности квантовых нитей в пористом кремнии при высокотемпературном отжиге в водородной среде и в процессе водного дотравливания.
