Методом молекулярно-лучевой эпитаксии выращивались слои кадмий-цинк-теллур на подложках арсенида галлия (310) с целью установления возможности использования этих слоев в качестве согласованной подложки при росте пленок КРТ.

Известия высших учебных заведений. Приборостроение. [Текст] / МО РФ, СПб ГУИТМО. — СПб.

• УДК // Зародження, ріст та розчинення кристалів
• УДК // Нанесення металевого та неметалевого покриття. Нанесення провідникового, напівпровідникового, діелектричного, магнітного покриття та плівок, а також плівок і покриття з електричним опром. Металізація