Температурные зависимости холловской подвижности электронов мН в монокристаллах n-Si были измерены как до, так и после облучения протонами и термообработки.Обнаружены осцилляции величины мН, измеренной при данной температуре в образцах. подвергшихся процессу изохронного отжига (ИО) при возрастающих температурах.
