Изучены вопросы легирования GaAs наиболее широко применяемыми примесями в условиях МОС-гидридной эпитаксии. Показано влияние основных технологических факторов на процесс легирования и дана их количественная оценка. Рассмотренные закономерности позволяют сделать вывод о том, что процесс легирования по-разному зависит от типа легирующей примеси.
