С учетом специфики условий формирования низкоразмерных полупроводниковых гетероструктур на основе соединений AIIIBV методом МОС-гибридной эпитаксии и свойств элементов III и V групп Периодической системы обоснована возможность представления приграничного слоя газовой фазы в виде "квазижидкости".
