Рассмотрено влияние дифузионного легирования редкоземельными элементами на кристаллическую структуру Si. Диффузию проводили из оксидной пленки редкоземельного элемента на поверхности пластины Si. Получены ПЭМ-изображения различных типов поверхности Si.

Известия вузов. Материалы электронной техники. [Текст] // Известия вузов. Материалы электронной техники ; Министерство образования РФ - М. : МИС и С. — 2004.

• УДК // Електронні напівпровідники
• УДК // Електронні пристрої із використанням властивостей твердого тіла. Напівпровідникові елементи