|
Автор: Голубков С.А., Гуров Ю.Б., Гусев К.Н., Егоров Н.Н., Замятин Н.И., Катулина С.Л., Козлов Ю.Ф., Коньков К.А., Сандуковский В.Г., Сидоров А.И., Старостин А.С.
-
Анотація:
Представлены первые результаты исследований стриповых и пиксельных детекторов из кремния, структуры которых позволяют создавать в области p-n-перехода электрическое поле порядка 5*10^5 В/см, достаточное для лавинного размножения носителей заряда. Показана возможность получения в полупроводниковом детекторе режима внутреннего усиления, сходного с пропорциональным усилением в газовых счетчиках.
-
Є складовою частиною документа:
-
Теми документа
-
УДК // Фізична природа матерії
|
