Методом планирования эксперимента исследован плазмоактивированный ТЭОС-процесс (РЕ ТЕОS-процесс) осаждения пленок двуокиси кремния при температуре 480 С. Получен оптимальный режим осаждения, позволяющий наносить РЕ ТЕOS- пленки с неравномерностью по толщине 1.2% и скоростью осаждения 40 нм/мин.

Известия вузов. Электроника. [Текст] // Известия вузов. Электроника ; Министерство образования РФ, Московский государственный институт электронной техники - М. : МИЭТ. — 2004.

• УДК // Конструювання електричного кола