Представлена методика определения зарядовых характеристик границы раздела полупроводник-диэлектрик в МДП-транзисторе, учитывающая эффекты короткого канала и планарной неоднородности. Приведены экспериментальные результаты по исследованию процессов радиационно-индуцированной генерации и временной релаксации наблюдаемых параметров с использованием предлагаемой методики.
