Привендены результаты компьютерного анализа температурной зависимости химического потенциала полупроводникового катодного материала донорного типа в одноуровневом приближении без учета собственной проводимости. Показано, что для катодных материалов на основе BaO предполагаемого снижения работы выхода электрона за счет роста химического потенциала не должно наблюдаться.

Вопросы проектирования и производства конструкций летательных аппаратов [Текст] : сб. науч. трудов. — Х. : Нац. аэрокосмический ун-т "ХАИ", 2003. — 165 с.

• УДК // ЕЛЕКТРИКА. ЕЛЕКТРОТЕХНІКА
• Праці співробітників ХАІ // Кислицин О.П./Кислицын А.П.
• Праці співробітників ХАІ // Лоян А.В./Loyan A.
• Праці співробітників ХАІ // Островський Є.К./Островский Е.К.
• Праці співробітників ХАІ // Праці співробітників ХАІ/Труды сотрудников ХАИ
• Праці співробітників ХАІ // Таран А.О./Таран А.А./Taran A.