Применительно к методу Чохральского с жидкостной герметизацией расплава и с погруженным во флюс дополнительными нагревателем (д.н.) изучены зависимости температурного гардиента G вблизи фронта кристаллизации в кристале GaAs от мощности д.н., его удаленности от кристалла, а также от условий теплового экранирования кристалла и флюса при различном соотношении между тепловыми потоками через дно и стенку тигля. Показаны условия, при которых достигаются лучшие результаты (с учетом значений G и равномерности их радиального распределения).

Технология и конструирование в электронной аппаратуре [Текст] : научно-технич. журнал / АО "Нептун". — Одесса.

• УДК // Теплопровідність. Теплопередача