Проведен расчет квантового выхода межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe с учетом их состава, уровня легирования, температуры и уровня оптического возбуждения. Показано, что к увеличению квантового выхода излучательной рекомбинации в в межзонном рекомбинационном процессе в кристаллах n- и p- типов во всем диапазоне уровней легирования приводят уменьшение температуры и увеличение ширины запрещенной зоны, а в кристаллах p-типа также легирование акцепторными дефектами в определенных пределах, зависящих от состава материала.
