Сообщается об изготовлении и исследовании модулей солнечных элементов на основе гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs. Активная площадь модуля, собронного из двенадцати фотопреобразователей размерами 10х20 мм, составляла 21,12 см^2. Измеренное при спектральных условиях АМ 1,5 значение КПД модуля достигало 28,5 %, а максимальная мощность-602мВт.
