|
Автор: Вербицкий В.Г., Золотаревский В.И., Самотовка Л.И., Балай Б.А., Вощинкин А.Ф., Коба В.Л., Товмач Е.С., Явецкий А.А.
-
Анотація:
Приведены результаты проектирования и испытания КМОП БИС 183ВМ86 16-разрядного микропроцессора при воздействии накопленной дозы гамма-радиации до 10^6 рад. Рассмотрены особенности конструкции элементов, технологического процесса изготовления радиационно стойких БИС. Предсталены значения основных электрических параметров БИС и пороговых напряжений n-канальных транзисторов до и после применения радиационно-термических обработок в процессе изготовления кристалла.
-
Є складовою частиною документа:
-
Теми документа
-
УДК // Електронні пристрої із використанням властивостей твердого тіла. Напівпровідникові елементи
| 