Рассмотрены особенности конструирования германиевых лавинных и нелавинных пороговых фотодиодов для комплектации тестеров оптического излучения волоконно-оптических линий систем связи. Показано, что применение эпитаксиальных структур и термоэлектрического охлаждения позволяет в 2-3 раза увеличить токовую монохраматическую чувствительностть лавинных фотолдиодов и на порядок понизить темновой ток обычных германиевых фотодиодов.
