Приводится полуаналитическая методика определения параметров транзисторов с высркрй подвижностью электронов, предусматривающая применение данных лишь об S-параметрах транзистора, измеренных в широком диапазоне частот. Даются основные сведения о декомпозиции модели. Приводится пример построения усилителя для проверки адекватности модели.
