Обсуждены проблемы проектирования схем считывания для матриц фотодиодов ИК-диапазона длин волн, предназначенных, например, для считывания и обработки информации от матричных приемников излучения на основе таких материалов как InSb, HgCdTe. Потенциальные функциональные возможности схем считывания рассмотрены с точки зрения применения современных проектных норм. Обсуждены некоторые характеритики спроектированной схемы считывания среднего формата для матриц фотодиодов 128ч128 пикселов с использованием "умеренных" проектных норм 1,2 мкм.
