Выполнено компьютерное моделирование тепловой истории выращивания монокристаллов кремния диаметром 200 мм в тепловом узле с "тигельным" экраном, на основе которой рассчитаны процессы рекомбинации вакансий и собственных межузельных атомов вблизи фронта кристаллизации и образования вакансионных микродефектов.
