Методами ІЧ-спектроскопії, спектральної еліпсометрії та комп'ютернго моделювання проведено вивчення структурних особливостей надтонких (10-15 нм) шарів SiO2, отриманих окисленням при температурі 850 С як стандартних кремнієвих підкладок, так і підкладок, оброблених у воднієвій плазмі.
