Зведений каталог бібліотек Харкова

 
Пошук Відібрані Опис документа
Початкова сторінка Сайт УФД

Новиков, М. М.
    Вивчення впливу високотемпературної обробки на розсіяння рентгенівських променів дефектами, що утворюються в кристалах Cz-Si. [Текст] / Київський національний університет ім. Т.Г.Шевченка // Український фізичний журнал. — К., 2005. — С. 93-97.

- Анотація:

Методом трикристальної дифрактометрії досліджено розсіяння рентгенівських променів вирощеними методом Чохральського кристалами кремнію з локальнми дефектами, введеними в них у процесі відпалу при температурах 850-1000 С та повторного відпалу при 1050 С.

- Є складовою частиною документа:

- Теми документа

  • УДК // Властивості та структура молекулярних систем
  • УДК // Дефекти в кристалах



Наявність
Установа Кількість Документ на сайті установи
Науково-технічна бібліотека Національного аерокосмічного університету ім. М.Є. Жуковського   Перейти на сайт