Показана возможность изготовления фототранзистора n-p-n типа на основе двойной гетероструктуры " окисел-InSe-окисел". Усиление фототока в фототранзисторе осуществляется только для толщин исходных образцов, сравнимых с диффузионной длиной неосновных носителей заряда. Особенностью усиления является переход фототранзистора из высокоомного в низкоомное состояние при определенных напряжениях и уровне освещения. Чем выше уровень освещения, тем меньше напряжения перехода. Плотность токов через фототранзистор при таком переходе может достигать 60-100 мА/см^2.
