Рассмотрен вопрос о математическом моделировании хорошо известного физического явления пробоя в полупроводниковых средах. Найдены достаточные условия возникновения лавинного роста концентрации свободных зарядов при достаточно большой величине начального распределения потенциала электрического поля в ограниченном полупроводнике с однородными граничными условиями Дирихле.
