Зведений каталог бібліотек Харкова
Смирнов, В. В. Влияние разориентации R-плоскости сапфира на процесс гетероэпитаксиального осаждения нитридов алюминия и галлия. [Текст] / Московский государственный институт электронной техники (технический университет) // Известия вузов. Электроника. — 2005. — С. 5-11.
- Анотація:
Исследовано влияние разориентации подложки сапфира в направлении (2110) или (21 10) при нулевой разориентации в направлении (0111) Al2O3 на структурные свойства эпитаксиальных слоевGaN и AlN.
- Є складовою частиною документа:
Известия вузов. Электроника. [Текст] // Известия вузов. Электроника ; Министерство образования РФ, Московский государственный институт электронной техники - М. : МИЭТ. — 2005.
- Теми документа
